メモ

プラズマドライエッチングについて調査メモ

プラズマ生成方法

Mgnetron RIE

ECR

ICP

誘導結合型

2-req. CCP

容量結合型

SWP

リンク

  • ドライエッチングの物理とプラズマ/表面反応

    "本稿で解説したドライエッチングは,半導体技術としては比較的に新しい.微細加工には必須である反面,量産レベルのプロセス制御や専攻件キュが簡単にはいかない技術
    といわれている.その原因は,制御すべき因子が多いことやエッチング反応が非平衡状態で起きることなどである."
    中々うまくいかないんだよねぇ(´・ω・`)


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Last-modified: 2014-09-07 (日) 14:03:49 (1805d)