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[[メモ]] プラズマドライエッチングについて調査メモ - [[日本半導体歴史館>http://www.shmj.or.jp/index.html]] イケてる * プラズマ生成方法 [#xbc03e07] ** Mgnetron RIE [#nbc428cf] ** ECR [#i2afd04c] ** ICP [#p36abafb] 誘導結合型 ** 2-req. CCP [#q69790b7] 容量結合型 ** SWP [#r5d2eaf7] * リンク [#x2cd3ce4] - [[http://www.jspf.or.jp/Journal/PDF_JSPF/jspf2007_04/jspf2007_04-319.pdf]] 歴史なども分かりやすい - [[http://www.jspf.or.jp/Journal/PDF_JSPF/jspf2009_04/jspf2009_04-165.pdf]] なんかいっぱい書いてある - [[パナソニック ファクトリーソリューションズ：エッチング装置>http://panasonic.co.jp/pfsc/technology/pdf/200803A.pdf]] ドライエッチング装置によるMEMS加工 -[[ドライエッチングの物理とプラズマ/表面反応>https://www.jstage.jst.go.jp/article/oubutsu1932/69/3/69_3_323/_pdf]] >本稿で解説したドライエッチングは，半導体技術としては比較的に新しい．微細加工には必須である反面，量産レベルのプロセス制御や専攻件キュが簡単にはいかない技術 といわれている．その原因は，制御すべき因子が多いことやエッチング反応が非平衡状態で起きることなどである． >"本稿で解説したドライエッチングは，半導体技術としては比較的に新しい．微細加工には必須である反面，量産レベルのプロセス制御や専攻件キュが簡単にはいかない技術 といわれている．その原因は，制御すべき因子が多いことやエッチング反応が非平衡状態で起きることなどである．" 中々うまくいかないんだよねぇ(´・ω・｀)
