Lab/fabrication
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開始行:
[[Lab]]
*プロセス [#f2e4f263]
#contents
[[SMRM>Lab/fabrication/SMRM]]
**SMRM作成 [#c1804f6f]
-サンプル作成トータル所要時間:約29時間
--作業時間:12時間
--待ち時間:17.5時間
***SV薄膜作成 [#ga9e8739]
所要時間:約3時間
磁気抵抗効果を持つ,センサの母材を作成する.
-[[ウェハカット]]
-基板洗浄
--硫酸洗浄(20min)
---硫酸:過酸化水素水=4:1 @5min 超音波
--オゾンクリーニング
---やってない
--有機洗浄(20min)
基板表面に付いている有機物(脂など)を有機溶剤で取り除く.
---アセトン @5min 超音波(24kHz)
---IPA @5min 超音波(24kHz)
-SV成膜(2.0h)
--ヘリコンスパッタリング
スピンバルブ型GMR効果を持つ薄膜をスパッタリングで成膜す...
スパッタリング,スピンバルブの説明は別途.
---SV:Ta/NiFe/Cu/NiFe/IrMn/Ta
---5nm/5nm/4.5nm/4nm/10nm/5nm
***センサ形状作成 [#n57bcb9f]
所要時間:約9時間(待ち5.5時間)
センサ母材を,ドライエッチングで任意の形状に削る.
-EBレジスト塗布(1.5h:待ち1.0h+作業30min)
--スピンコート
電子線によって変質する高分子を均一に塗布する.
---ZEP520-A 常温に戻す(40~50分)
---5000rpm XXsec
--プリベーク
電子線で高分子がよく変質するように(?)有機溶剤,水分を...
---ホットプレート 160℃-2min(金属薄膜)
-EBリソグラフィ(40min)
--EBリソグラフィ(15~20min)
残したい形状を電子線で描画する.
電子線の絞りが肝となる.
---100pA
--現像
電子線によって変質した部分の高分子(レジスト)を現像液で...
描画した部分のレジストが無くなる.
---現像液:ZED-50 @3min 22℃
---リンス:ZMD-B @30sec 22℃
--ポストベーク
現像後にもう一度焼き締めを行う.
この工程により,具体的にど程度良い影響があるのかは不明
---ホットプレート 120℃-3min
-ドライエッチング用Tiハードマスク
--ULVAC EB蒸着(3.5h: 待ち2.0h + 作業10min + 待ち 1.0h)
ドライエッチング耐性の強いチタンを表面に蒸着する
---Ti 約5nm
--リフトオフ(30min)
レジストを有機溶剤で溶かして取り除く.
レジストの上に乗っているTiが一緒に剥がれるため,描画した...
---DMF @5min 超音波(W)
---アセトン @5min 超音波(W)
---IPA @5min 超音波(W)
-ドライエッチング(2.5h: 待ち40min + 作業30min + 待ち1.0h)
--ICPドライエッチング
Arプラズマによる異方性のエッチング.
全体的に削ることになるが,Tiのエッチング耐性が強いので,...
---ガス Ar 30ccm
---ステージ 20W
---アンテナ 120W
---連続20min
***電極をパターニング [#y26d19f9]
所要時間:約15.5時間(待ち12時間)
MR特性を測定するために行う,ワイヤーボンディングのための...
-EBレジスト塗布(1.5h:待ち1.0h+作業30min)
--スピンコート
---ZEP520-A 常温に戻す(40~50分)
---5000rpm XXsec
--プリベーク
---ホットプレート 160℃-2min
-EBリソグラフィ(10h: 作業1h + 待ち8h)
--EBリソグラフィ
---300pA
--現像
---ZED-50 @3min 22℃
---ZMD-B @30sec 22℃
--ポストベーク
-電極パッド用Au/Ti蒸着(4h: 待ち2h + 作業40min + 待ち 1.0h)
--ULVAC EB蒸着
---下層:Ti(?nm)
---上層:Au(?nm)
--リフトオフ(30min)
---DMF @5min 超音波(W)
---アセトン @5min 超音波(W)
---IPA @5min 超音波(W)
***測定 [#qeef900c]
所要時間:約1.5時間
-MR測定
--ワイヤーボンディング(20~60min)
--測定(20min)
**[[トラブル>Lab/fabrication/トラブル]] [#g1b9dd07]
終了行:
[[Lab]]
*プロセス [#f2e4f263]
#contents
[[SMRM>Lab/fabrication/SMRM]]
**SMRM作成 [#c1804f6f]
-サンプル作成トータル所要時間:約29時間
--作業時間:12時間
--待ち時間:17.5時間
***SV薄膜作成 [#ga9e8739]
所要時間:約3時間
磁気抵抗効果を持つ,センサの母材を作成する.
-[[ウェハカット]]
-基板洗浄
--硫酸洗浄(20min)
---硫酸:過酸化水素水=4:1 @5min 超音波
--オゾンクリーニング
---やってない
--有機洗浄(20min)
基板表面に付いている有機物(脂など)を有機溶剤で取り除く.
---アセトン @5min 超音波(24kHz)
---IPA @5min 超音波(24kHz)
-SV成膜(2.0h)
--ヘリコンスパッタリング
スピンバルブ型GMR効果を持つ薄膜をスパッタリングで成膜す...
スパッタリング,スピンバルブの説明は別途.
---SV:Ta/NiFe/Cu/NiFe/IrMn/Ta
---5nm/5nm/4.5nm/4nm/10nm/5nm
***センサ形状作成 [#n57bcb9f]
所要時間:約9時間(待ち5.5時間)
センサ母材を,ドライエッチングで任意の形状に削る.
-EBレジスト塗布(1.5h:待ち1.0h+作業30min)
--スピンコート
電子線によって変質する高分子を均一に塗布する.
---ZEP520-A 常温に戻す(40~50分)
---5000rpm XXsec
--プリベーク
電子線で高分子がよく変質するように(?)有機溶剤,水分を...
---ホットプレート 160℃-2min(金属薄膜)
-EBリソグラフィ(40min)
--EBリソグラフィ(15~20min)
残したい形状を電子線で描画する.
電子線の絞りが肝となる.
---100pA
--現像
電子線によって変質した部分の高分子(レジスト)を現像液で...
描画した部分のレジストが無くなる.
---現像液:ZED-50 @3min 22℃
---リンス:ZMD-B @30sec 22℃
--ポストベーク
現像後にもう一度焼き締めを行う.
この工程により,具体的にど程度良い影響があるのかは不明
---ホットプレート 120℃-3min
-ドライエッチング用Tiハードマスク
--ULVAC EB蒸着(3.5h: 待ち2.0h + 作業10min + 待ち 1.0h)
ドライエッチング耐性の強いチタンを表面に蒸着する
---Ti 約5nm
--リフトオフ(30min)
レジストを有機溶剤で溶かして取り除く.
レジストの上に乗っているTiが一緒に剥がれるため,描画した...
---DMF @5min 超音波(W)
---アセトン @5min 超音波(W)
---IPA @5min 超音波(W)
-ドライエッチング(2.5h: 待ち40min + 作業30min + 待ち1.0h)
--ICPドライエッチング
Arプラズマによる異方性のエッチング.
全体的に削ることになるが,Tiのエッチング耐性が強いので,...
---ガス Ar 30ccm
---ステージ 20W
---アンテナ 120W
---連続20min
***電極をパターニング [#y26d19f9]
所要時間:約15.5時間(待ち12時間)
MR特性を測定するために行う,ワイヤーボンディングのための...
-EBレジスト塗布(1.5h:待ち1.0h+作業30min)
--スピンコート
---ZEP520-A 常温に戻す(40~50分)
---5000rpm XXsec
--プリベーク
---ホットプレート 160℃-2min
-EBリソグラフィ(10h: 作業1h + 待ち8h)
--EBリソグラフィ
---300pA
--現像
---ZED-50 @3min 22℃
---ZMD-B @30sec 22℃
--ポストベーク
-電極パッド用Au/Ti蒸着(4h: 待ち2h + 作業40min + 待ち 1.0h)
--ULVAC EB蒸着
---下層:Ti(?nm)
---上層:Au(?nm)
--リフトオフ(30min)
---DMF @5min 超音波(W)
---アセトン @5min 超音波(W)
---IPA @5min 超音波(W)
***測定 [#qeef900c]
所要時間:約1.5時間
-MR測定
--ワイヤーボンディング(20~60min)
--測定(20min)
**[[トラブル>Lab/fabrication/トラブル]] [#g1b9dd07]
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